Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ Русской ФЕДЕРАЦИИ


ПЕНЗЕНСКИЙ Муниципальный ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ Институт

имени В. Г. БЕЛИНСКОГО



Принято

на заседании Ученого совета

физико-математического факультета

Протокол заседания № ____

от «_____» ________________201_ г.


Декан

факультета ______________ О.П. Сурина




УТВЕРЖДАЮ

Проректор по учебной работе


___________________ Ю.А. Мазей


«_____» ___________________ 201_ г.



^ РАБОЧАЯ Программка ДИСЦИПЛИНЫ


«Основы физики низкоразмерных полупроводниковых Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование систем»


Направление подготовки 050100 Педагогическое образование


Профиль подготовки ФИЗИКА


Квалификация (степень) выпускника - Бакалавр


Форма обучения очная


Пенза – 2012

^ 1. Цели освоения дисциплины

Целями освоения дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» являются знакомство с физическими качествами, технологиями производства и вероятными направлениями Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование использования полупроводниковых структур пониженной размерности: квантовых проволок, квантовых пленок, квантовых точек.


^ 2. Место дисциплины в структуре ООП бакалавриата

Дисциплина «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» относится к дисциплинам по выбору вариативной части проф Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование цикла.

Исследование данной дисциплины базируется на познаниях программки по последующей дисциплине: «Общая и экспериментальная физика», «Основы теоретической физики».

Освоение данной дисциплины является основой для следующего прохождения педагогической практики, подготовки к итоговой гос Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование аттестации.


^ 3. Компетенции обучающегося, создаваемые в итоге освоения дисциплины

«Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем»

Процесс исследования дисциплины ориентирован на формирование частей последующих компетенций в согласовании с ФГОС ВПО по данному направлению:

Коды

компетенции

Наименование компетенции

Структурные элементы Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование компетенции

(в итоге освоения дисциплины обучающийся должен знать, уметь, обладать)

1

2

3

СК-1

знает концептуальные и теоретические базы физики, ее место в общей системе наук и ценностей, историю развития и современное состояние

Знать: базы квантовой физики Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование, способы описания квантово-механических систем, базы физики полупроводников

Уметь: решать уравнение Шредингера для систем, моделируемых потенциалом конфайнмента в виде «мягкой» стены способом функции Грина

Обладать: способами расчета квантово-механических систем: способ действенной массы, способ функции Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование Грина

СК-4

обладает способами теоретического анализа результатов наблюдений и тестов, приемами компьютерного моделирования

Знать: особенности энергетического диапазона полупроводниковых наноструктур

Уметь: проводить численное решение средствами математических пакетов дисперсионных уравнений

Обладать: математическими пакетами для проведения математического моделирования Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование полупроводниковых наноструктур

^ 4. Структура и содержание дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем»

4.1. Структура дисциплины

Общая трудозатратность дисциплины составляет 2 зачетных единицы, 72 часа.



п/п

Наименование

разделов и тем

дисциплины

Семестр

Недели семестра

Виды учебной работы, включая самостоятельную работу студентов и трудозатратность

(в Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование часах)

Формы текущего контроля успеваемости (по неделям семестра)

Аудиторная работа

Самостоятельная

работа

Всего

Лекция

Лабораторные занятия

Всего

Подготовка к аудиторным занятиям

Реферат

Мини-проект

Подготовка к экзамену

Собеседование

Тест

Контрольная работа

Защита реферат

Защита мини - проекта

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

1.

Тема 1. Размерное квантование

8

1-2

6

2

4

6

2

2

2




1

2










2.

Тема 2. Характеристики двумерных электронов.

8

3-4

6

2

4

6

2

2

2




3

4










3.

Тема 3. Полупроводниковые сверхрешетки.

8

5-6

6

2

4

6

2

2

2




5

6







6

4.

Тема 4. Квантовые одномерные Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование полупроводники.

8

7-8

6

2

4

6

2

2

2




7

8







8

5.

Тема 5. Квантовые точки.

8

9-10

6

2

4

6

2

2

2




9

10







10

6.

Тема 6. Воздействие магнитного поля на оптические характеристики полупроводниковых наноструктур.

8

11-12

6

2

4

6

2

2

2




11

12

11

12







^ Общая трудозатратность, 72 часа







36

12

24

36

12

12

12




Промежная аттестация

Форма

Семестр

Зачет

8

Экзамен





^ 4.2. Содержание дисциплины


Тема 1. Размерное квантование, Энергетический диапазон двумерных электронов. Решение уравнения Шредингера в приближении треугольного и прямоугольного Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование потенциала. Плотность электрических состояний в трехмерном, двумерном, одномерном и нульмерном случаях. Расчет полного числа электронов при размерном квантовании. Рассредотачивание электронов
в p-пространстве при размерном квантовании. Переход металл-диэлектрик в нанокристаллах Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование. Одномерный кристалл, модель Кронига-Пенни. Инверсионные слои в МДП структурах, гетероструктуры, квантовые ямы. Молекулярно-лучевая эпитаксия и разработка получения полупроводниковых сверхрешеток и гетероструктур. Процессы на поверхности во время роста. Газофазная эпитаксия из Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование металлоорганических соединений.


Тема 2. Характеристики двумерных электронов. Экранирование в 3D в 2D и в квази-2D случаях. 3D плазмоны, 2D плазмоны, 2D магнетоплазмоны и краевые магнетоплазмоны. Квантование энергии электронов в магнитном поле Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование. Особенности осцилляций магнетосопротивления в двумерных системах. Целочисленный квантовый эффект Холла. Метрологические приложения целочисленного квантового эффекта Холла. Многочастичные эффекты, дробный квантовый эффект Холла.


Тема 3. Полупроводниковые сверхрешетки. Систематизация полупроводниковых сверхрешеток. Композиционные сверхрешетки. Легированные Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование сверхрешетки, структура потенциала сверхрешеток. Типы легирования сверхрешеток. Энергетический диапазон сверхрешетки. Минизоны в сверхрешетках. Управление зонным диапазоном на примере сверхрешетки GaAs/GaAlAs. Воздействие биаксиальных напряжений на энергетический диапазон напряженных сверхрешеток без учета и Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование с учетом внутреннего пьезоэффекта. Оптические характеристики сверхрешеток. Внутризонные переходы. Межзонные переходы. Проводимость сверхрешеток повдоль оси и перпендикулярно оси, туннелирование, отрицательная дифференциальная проводимость.


Тема 4. Квантовые одномерные полупроводники. Способы формирования квантовых одномерных полупроводников. Квантование энергии в узеньких Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование двумерных полупроводниках при отсутствии магнитного поля. Квантование энергии в узеньких двумерных полупроводниках в магнитном поле. Поперечные моды. Баллистический транспорт, сопротивление баллистического полупроводника. Квантовые интерференционные эффекты в одномерных полупроводниках.


Тема Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование 5. Квантовые точки. Способы получения полупроводниковых квантовых точек. Эпитаксиальный рост квантовых точек при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазной эпитаксии. Квантовые точки - искусственные атомы. Особенности квантования энергетического диапазона электронов в квантовых точках. Оптические характеристики квантовых точек Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование. Практические внедрения квантовых точек


Тема 6. Воздействие магнитного поля на оптические характеристики полупроводниковых наноструктур. Модели взаимодействия полупроводниковой наноструктуры с электрической волной. Матричные элементы оптических переходов. Расчет сечения фотоионизации и правил отбора для Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование оптических переходов. Коэффициенты поглощения систем квантовых проволок. Воздействие магнитного поля на порог фотоионизации и спектральные свойства. Вероятные направления использования квантовых проволок.


Тема лабораторных занятий

  1. Расчет соответствующих длин полупроводников.

  2. Способ функций Грина.

  3. Расчет энергетического диапазона полупроводниковой Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование пленки.

  4. Исследование энергетического диапазона квантовой пленки.

  5. Расчет энергетического диапазона квантовой проволоки.

  6. Расчет энергетического диапазона примесного центра в квантовой проволоке.

  7. Исследование энергетического диапазона примесного центра в квантовой проволоке

  8. Расчет энергетического диапазона примесного центра в Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование квантовой точке.

  9. Исследование энергетического диапазона примесного центра в квантовой точке.

  10. Расчет сечения фотоионизации примесного центра в квантовой проволоке.



^ 5. Образовательные технологии

    В согласовании с требованиями ФГОС ВПО реализация компетентностного подхода предугадывает Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование обширное внедрение в учебном процессе образовательных технологий использующих активные и интерактивные формы проведения занятий.

    1. Разработка обычного обучения при проведении информационных и проблемных лекций, семинарских занятий с целью углубленного исследования вопросов дисциплины, практических заданий с Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование внедрением системы заданий: заданий-наблюдений, творческих, учебно-тренировочных. (Тема 1.; Тема 3.; Тема 4.)

    2. Разработка сотрудничества с внедрением работы в парах неизменного и переменного состава при проведении практических занятий экспериментального нрава. (Тема 1.; Тема Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование 2.; Тема 5.)

    3. Медиатехнологии и проектные технологии при организации самостоятельной работы студентов по подготовке и демонстрации презентаций, реализации исследовательских проектов. (Тема 3.; Тема 6.; Тема 4.)

    4. Тестовые технологии при проведении промежного контроля познаний и умений учащихся с внедрением компьютерных технологий Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование. (Тема 1.; Тема 2.; Тема 3.; Тема 4.;
    Тема 5.)

    Занятия, проводимые в интерактивной форме, в том числе с внедрением интерактивных технологий, составляют 25 % от полного количества аудиторных занятий.




^ 6. Учебно-методическое обеспечение самостоятельной работы студентов.

Оценочные средства Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование для текущего контроля успеваемости,

промежной аттестации по итогам освоения дисциплины.


^ 6.1. Организация самостоятельной работы студентов


Самостоятельная работа студентов при исследовании дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» подразумевает последующие формы: подготовка к аудиторным занятиям, написание реферата Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование и разработка мини-проекта.

  1. Подготовка к аудиторным занятиям содержит в себе исследование учебной, учебно-методической, научной литературы и конспектов лекций по этой теме (разделу) с целью формирования теоретических представлений по Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование изучаемой дилемме; исследования методики проведения экспериментального исследования, компьютерного моделирования, технологии расчета по этой теме (пункт 7 программки).

Содержание заданий определяется педагогом с учетом дифференцированного и личностно-ориентированного подходов.

Контроль свойства и объема Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование выполненных заданий осуществляется во время аудиторного занятия в форме собеседования и/либо тестирования (компьютерное либо бланковое)

  1. Написание реферата осуществляется студентом по персонально избранной теме из банка тем рефератов. Содержание и объем реферативной работы Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование определяется педагогом. Студент без помощи других производит поиск источников информационного сопровождения работы, критичный анализ содержания отобранной инфы, сборку и оформление реферата.

Оценивание реферата осуществляется по единой для всех студентов системе критериев включающих: степень Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование раскрытия темы (при исследовании рукописи реферата), уровень владения материалом реферативной работы (в процессе защиты реферата и ответов на вопросы), композиция работы и представления работы на защите.

Защита рефератов осуществляется по решению педагога Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование на публике во время лекции либо практического занятия или в личном порядке во внеаудиторное время.

Представление рукописей рефератов и их предварительное рецензирование осуществляется с внедрением дистанционных технологий.


№ недели

Наименование тем

Задание

Кол-во часов

1-2

Тема Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование 1. Размерное квантование

Расчет соответствующих длин полупроводниковых структур

[1,5,10,11]

Подготовка реферата [12,13]

Подготовка мини-проекта

2


2

2

3-4

Тема 2. Характеристики двумерных электронов.

Расчет энергетического диапазона примесного центра в квантовой пленке

[1,5,10,11]

Подготовка реферата [12,13]

Подготовка мини-проекта

2


2

2

5-6

Тема 3. Полупроводниковые сверхрешетки.

Провести компьютерное моделирование сверхрешетки Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование из полупроводникового материала

[7,9]

Подготовка реферата [12,13]

Подготовка мини-проекта

2


2

2

7-8

Тема 4. Квантовые одномерные полупроводники.

Расчет энергетического диапазона примесного центра в квантовой проволоке

[1,5,10,11]

Подготовка реферата [12,13]

Подготовка мини-проекта

2


2

2

9-10

Тема 5. Квантовые точки.

Расчет энергетического диапазона примесного центра в квантовой точке

[1,5,10,11]

Подготовка реферата Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование [12,13]

Подготовка мини-проекта

2


2

2

11-12

Тема 6. Воздействие магнитного поля на оптические характеристики полупроводниковых наноструктур.

Расчет сечения фотоионизации примесного центра в квантовой проволоке при наличии продольного магнитного поля

[1,5,10,11]

Подготовка реферата [12,13]

Подготовка мини-проекта

2


2

2


Примерная тема рефератов


1. Размерное квантование в прямоугольной Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование и треугольной квантовой яме.

2. Целочисленный квантовый эффект Холла, его практическое внедрение.

3. Энергетический диапазон сверхрешеток, управление им и практическое внедрение

сверхрешеток.

4. Квантовые эффекты в одномерных полупроводниках.

5. Получение и применение квантовых точек.


  1. Разработка Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование мини-проекта осуществляется группой студентов менее 2 человек либо персонально. Проект непременно должен носить исследовательский нрав и включать деятельностную компоненту: наблюдение, компьютерное моделирование, расчетную работу и т.п.). Тема проекта, задачки, содержание и структура определяется студентами Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование без помощи других в рамках изучаемого раздела.

Оценивание работы по разработке проекта осуществляется по единой для всех студентов системе критериев включающих: соответствие темы проекта, изучаемому разделу (за ранее, до защиты), степень Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование раскрытия темы (в процессе защиты), уровень владения материалом работы (в процессе защиты и ответов на вопросы), композиция презентации работы на защите.

Представление и защита проектов осуществляется по решению педагога на Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование публике во время лекции либо практического занятия или в личном порядке во внеаудиторное время.

Предварительное рецензирование (непременно) осуществляется с внедрением дистанционных технологий. Для рецензирования представляется слайд-презентация и тезисы выступления.


Вероятная тема мини-проектов


  1. Воздействие магнитного Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование поля на энергию связанного состояния носителя заряда в квантовой проволоке

  2. Воздействие амплитуды потенциала конфайнмента на существование связанных состояний
    в квантовой проволоке.

  3. Воздействие геометрической формы на энергетический диапазон электрона при переходе от микросужения Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование к квантовой проволоке

  4. Воздействие материала полупроводниковой структуры на возможность оптических переходов
    в квантовой проволоке.



^ 6.2. Организация текущего контроля


Примеры тестовых заданий


1. При каких размерах полупроводника проявляется размерное квантование?

А) При размере меньше 1-го микрона Б) При размере Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование меньше 1-го нанометра В) Когда размер становится больше длины волны де-Бройля электрона Г) Когда размер становится меньше длины волны де-Бройля электрона


^ 2. Как зависит энергия электрона от ширины квантовой ямы Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование?

А) Вообщем не зависит Б) возрастает линейно с повышением ширины квантовой ямы
В) Возрастает назад пропорционально квадрату ширины квантовой ямы
c уменьшением последней Г) Миниатюризируется линейно с уменьшением ширины квантовой ямы


^ 3. Как Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование зависит электрическая плотность состояний от энергии в одномерных проводниках?
А) Квадратично Б) Назад пропорционально В) Линейно Г) назад пропорционально корню квадратному от энергии


^ 4. От чего зависит проводимость инверсионного слоя на поверхности полупроводника?

А) От напряжения Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование сток-исток Б) От толщины окисла на поверхности В) От напряжения затвора Г) От всего выше перечисленного


^ 5. Как зависит длина экранирования от плотности электрических состояний в 2D случае?

А) Линейно Б Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование) Назад пропорционально В) Экспоненциально Г) Квадратично


^ 6. Если на уровне размерного квантования в многоуровневой квантовой точке есть один электрон, то второму электрону для вхождения в квантовую точку ?

А) Требуется в 2 раза наименьшая энергия по сопоставлению Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование с первым Б) Требуется большая энергия по сопоставлению с первым В) Требуется такая же энергия


^ Примерный вариант контрольной работы

    Контрольная работа

  1. Какие процессы происходят на поверхности структуры во время эпитаксиального роста?

  2. Как из частоты Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование осцилляций магнетосопротивления получить концентрацию двумерных электронов?

  3. Как можно управлять энергетическим диапазоном сверхрешетки?

  4. Как зависит сопротивление канала полевого транзистора от его ширины?

  5. В чем отличие оптического излучения из квантовых точек и громоздкого полупроводника?



^ 6.3. Организация Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование промежной аттестации.


Вопросы к зачету


  1. Какие процессы происходят на поверхности структуры во время эпитаксиального роста?

  2. Какие соединения можно использовать при газофазном эпитаксиальном росте пленок?.

  3. Каковы физические предпосылки роста энергии электрона при уменьшении ширины Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование квантовой ямы?

  4. Какие типы гетероструктур есть?

  5. Как создается инверсионный проводящий слой на поверхности полупроводника?

  6. Чем отличается закон дисперсии двумерных плазмонов от трехмерных?

  7. При каких критериях может быть наблюдение квантовых осцилляционных эффектов?

  8. Как Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование применяется целочисленный квантовый эффект Холла в метрологии?

  9. Какие дроби наблюдаются в дробном квантовом эффекте Холла?

  10. Как из частоты осцилляций магнетосопротивления получить концентрацию двумерных электронов?

  11. Чем отличается закон дисперсии двумерных Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование плазмонов от трехмерных?

  12. При каких критериях может быть наблюдение квантовых осцилляционных эффектов?

  13. Как применяется целочисленный квантовый эффект Холла в метрологии?

  14. Какие дроби наблюдаются в дробном квантовом эффекте Холла?

  15. Как из частоты осцилляций Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование магнетосопротивления получить концентрацию двумерных электронов?

  16. Какие известны способы формирования полупроводниковых одномерных проводников?

  17. Что такое поперечная мода?

  18. При каких критериях может быть наблюдение баллистической проводимости?

  19. Как зависит сопротивление канала полевого транзистора от его ширины Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование?

  20. Как измерить квант магнитного потока?



^ 7. Учебно-методическое и информационное обеспечение

дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем»


а) основная литература:

  1. А.Я. Шик и др. Физика низкоразмерных систем. Наука, С-Пб, 2001.

  2. Й. Имри Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование. Введение в мезоскопическую физику (пер. с англ. 2002 г., изд. Физматлит, М.)

  3. Питер Ю, Мануэль Кардона. Базы физики полупроводников (пер. с англ. 2002 г., изд. Физматлит, М.)

  4. Драгунов В.П., Неведомый И.Г Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование., Гридчин В.А. Базы наноэлектроники. Новосибирск, изд. НГТУ, 2000.

  5. Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных структур. М., "Логос", 2000.

б) дополнительная литература:


7. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1989.

8. Бехштедт Ф., Эндерлайн Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир, 1990.

9. Кульбачинский В.А. Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки. М. 1998.

  1. Кардон М. Базы физики полупроводников. М. 2002.


в) программное обеспечение и Интернет-ресурсы


  1. www.nanoobr.ru Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование (лекционные материалы по теме дисциплины)

  2. http://journals.ioffe.ru/ftp (журнальчик физика и техника полупроводников)

  3. http://journals.ioffe.ru/ftt (журнальчик физика твердого тела)



^ 8. Материально-техническое обеспечение дисциплины

Для организации аудиторных занятий по дисциплине Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» нужно наличие аудитории снаряженной стационарным либо переносным комплектом проекционной аппаратуры и возможностью выхода в сеть Internet. Для проведения практических занятий употребляется аудитория, снаряженная компьютерами с возможностью Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование выхода в Internet.

Рабочая программка дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» составлена в согласовании с требованиями ФГОС ВПО с учетом советов примерной ООП ВПО по направлению подготовки 050100 «Педагогическое образование» и профилю подготовки «Физика Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование».


Программку составили:

1. Марко А.А., заведующий кафедрой теоретической физики и общетехнических дисциплин


^ Реальная программка не может быть воспроизведена ни в одной форме без подготовительного письменного разрешения кафедры-разработчика программки.


Программка одобрена на заседании Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование кафедры теоретической физики и общетехнических дисциплин


Протокол № ___ от «____» ______________ 20__ года


Зав. кафедрой теоретической физики

и общетехнических дисциплин ________________________ А.А. Марко


Программка одобрена учебно-методическим советом физико-математического факультета


Протокол № ___ от «____» ______________ 20__ года


Председатель учебно-методического совета

физико-математического факультета Рабочая программа дисциплины «Основы физики низкоразмерных полупроводниковых систем» Направление подготовки 050100 Педагогическое образование _______________________ О.В. Якунина


Программка одобрена учебно-методическим управлением института


«_____» _____________ 20__ года


Начальник учебно-методического

управления института ___________________________ Г.Н. Шалаева

(подпись)



rabochaya-programma-disciplini-monitoring-opasnih-geologicheskih-processov-napravlenie-podgotovki-020700-geologiya.html
rabochaya-programma-disciplini-muzei-mira-napravlenie-podgotovki-100400-turizm.html
rabochaya-programma-disciplini-nadezhnost-meliorativnih-sistem-napravlenie-podgotovki.html